安定化回路の基板作りから始めたが、
これから部品の選択をせねばならない。
使用部品の形状は似たり寄ったりだから、
まずは面倒な基板を先に作っただけの事。
30V以下なら簡単で性能の良いICも使えるのだが
40V以上になるとデスクリートで（単品部品を組み合わせて）
作る事になる。
（こんにち40V以上もの REG IC が存在するのかどうかも確認出来てないから）

また供給電源電圧が低いので、
電圧降下や損失も少ない簡単な回路が望まれるから
以下の回路にしておいた。作った基板はこの回路用である。

2005.12.18 PM 9:45 弘史左衛門

上図がパターンの回路図である。
各値は、これから計算で出す事になる。
手持ちのパーツを探して、適合するものがあるかないかで、
値が決まるから、まずは探し出す時間が必要だわいな。

ちょっと 探してみたら、まず図の VzD つまり基準電圧を作る
ツエナーダイオードの 実測電圧 11.47Vの ものが見つかった。
型名は RD12F と袋に書いてあった。
テストの結果 1mmAの電流時が変動少ないと判明。
この事から図の RZD つまり
ツエナーダイオード用の抵抗値は OUT電圧38Vとして
38v -11.47v=26.53V 26.53V/0,001(1mA)＝26KΩとなる。
従って抵抗表に存在する 27KΩ ならOKと解る。

次に R1と R2 の値を出してみる。
OUT38Vだが若干の電圧調整をするとして、
低い方を35Vにしてみると、
35 -11.47/1mA＝23.530 ...24 KΩとして、
半固定抵抗を4.7KΩとすれば、
固定抵抗は 24 -4.7＝19.3KΩ
従って 抵抗表に存在する18KΩか20KΩで良いとする。
R2は11.47V/1mmA＝11.470...12 KΩで良いとする。
実際の結果から、再調整値が出るかも知れぬが
今はこれで良いとする。

RS は OUTがショートや過負荷状態になった時
（S=ショート&サージ電流）
パワートランジスターを破壊から守る為の
過大電流検出抵抗である。
値は OUT電流を800mmAで OUT OFFにするとすれば
Tr4 のベース.エミッタ間電圧 0.65Vになる値を利用する。
（シリコントランジスターの導通特性）
つまり 0.65V /0.8(800mmA）＝0.81Ωの抵抗でよいと解る。
(この値になる様に抵抗表からパラレル/シリアルで組んで使う）
あとの値はトランジスターの選択で、また計算。

（以上の計算は、間違いが あるかも知れないので 実際の結果から修正あれば また書く事に）

電子パーツ集めをやってます。29日には届くかも...。05.12.23現在